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开云体育官网登入口:曾亲赴霍尔木兹调研的Citrini判断:碳化硅是AI最大暗线

来源:开云体育官网登入口    发布时间:2026-05-17 21:42:38

产品介绍

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  过去五年,碳化硅的需求故事几乎完全围绕新能源汽车展开。800V高压平台的普及,使碳化硅主驱逆变器成为提升充电速度和能效的核心技术。

  碳化硅的热导率是硅的3倍,同时具有与硅接近的热膨胀系数,可以在高效散热的同时减少封装翘曲,提升大尺寸芯片的封装良率。台积电在2025年第四季度法说会上已释放出SiC在先进封装中作为散热关键材料的应用取得突破性验证的信号。据长江证券预测,台积电CoWoS产能2026年将达100万片每月,若30%采用碳化硅方案,潜在空间超10亿美元。

  这家美股公司专注于硅碳化物材料和电源应用设备,曾长期被视为行业的“技术灯塔”:最早量产6英寸衬底,最早建成8英寸晶圆厂,导电型衬底市场占有率一度超过60%。

  2026年5月发布的第三季度财务报表显示,账面现金回升至12亿美元,净债务降至5.55亿美元,财务结构显著修复。但运营端远未止血:非GAAP毛利率为-20.6%,经营现金流净流出8400万美元。更关键的是,8英寸莫霍克谷工厂产能利用率仍处低位,单位折旧与经营成本居高不下。债务减负只是“救命”,产能利用率与成本曲线的匹配才是“治病”。

  技术上,Wolfspeed仍保有三张底牌:2026年1月成功生产出单晶300mm(12英寸)碳化硅晶圆;3月推出业界首款商用10kV SiC MOSFET;同时推出专为AI数据中心机架电源设计的新一代封装方案。AI数据中心相关业务已连续多个季度环比增长约30%,成为当下唯一保持高增的细分市场。然而,这一体量尚不足以扭转整体亏损。

  碳化硅产业链的价值分布呈现典型的“倒金字塔”结构。据国际知名半导体研究机构Yole Group研究显示,衬造环节占SiC功率器件总成本的约47%,外延生长占约23%,两者合计70%。与传统硅基半导体不同,碳化硅的话语权高度集中在上游材料环节。

  在这一轮代际切换中,中国企业的市场占有率明显提升。据日本富士经济2026年3月发布的报告,2025年全球导电型碳化硅衬底市场中,中国厂商合计份额已超过40%。其中,天岳先进以27.6%的份额位居全球第一,8英寸市场占有率为51.3%。在更大尺寸层面,天岳先进2025年年报显示,公司已完成12英寸导电型和半绝缘型技术攻关,并获得客户订单交付。据其披露,其已与英飞凌、博世、罗姆等全球前十大功率半导体器件制造商中的半数以上建立合作伙伴关系。2025年全年,天岳先进碳化硅产品产量折合69.04万片,同比增长68.31%。

  在外延环节,中国企业的全球地位同样突出。全球SiC外延片市场已形成“头部引领、本土崛起”的竞争格局。根据灼识咨询的报告,瀚天天成作为全球首家实现8英寸SiC外延片大批量外供的企业,以31.6%的全球市场占有率位居全球前列。自2023年来,瀚天天成即是全球最大的碳化硅外延供货商。而天域半导体在中国市场以30.6%的收入占比成为行业领军者之一。

  但价格战并非没有正面意义。它加速了低效产能的出清,迫使企业在降本上极致挖掘,最终拉低了碳化硅器件的应用门槛。海外大厂缩减产能,国内的产能扩张也放缓节奏,低端产能加速淘汰,高端产能则相对稀缺。2025年,部分消费级SiC MOSFET器件单价已显著下探,逼近甚至低于硅基超结MOSFET的价位:这在某种程度上预示着碳化硅正在从“高端选配”走向“成本可接受”的广泛市场。

  进入2026年,供需信号正在发生关键变化。据晶升股份2026年4月发布的投资者交流记录,碳化硅衬底市场已释放出明确复苏信号:6英寸碳化硅衬底价格会出现较大幅度反弹,8英寸产品价格止跌企稳并小幅上涨,部分衬底厂商已收到下游客户新增订单需求,行业供需格局得到明显改善。天岳先进在2026年3月的投资者调研中亦表示,过去两年碳化硅衬底行业经历了充分的价格调整,目前6英寸产品价格已逐步进入相对来说比较稳定区间,8英寸产品价格亦明显企稳,行业正从价格调整阶段转向“价格趋稳、需求扩容”的新阶段。

  需求侧的驱动力正在从单一的新能源汽车,转向“EV+AI+光储”的多轮共振。新能源汽车仍是占比最大的基本盘,800V平台的渗透率持续提升。在AI数据中心领域,英伟达已明确数据中心正从当前的54V机架供电向800V高压直流架构过渡,目标是2027年实现规模化商用,以支撑1MW及以上超高功率密度IT机架的电力需求。SiC器件凭借极低的开关损耗和耐高压特性,能让服务器电源转换效率突破96%甚至向99%迈进,在相同市电容量下可多支撑50%的AI负载。光伏储能领域,200kW以上组串式逆变器中SiC的渗透率已超过60%。此外,先进封装散热正在成为增量最快的新引擎,英伟达正评估新一代Rubin平台中将CoWoS封装的硅中介层替换为碳化硅的方案,若该方案确立,每一颗高端AI处理器都将内置SiC材料。

  供需收紧的趋势已经显现。Wolfspeed重组导致部分海外产能阶段性停摆,国内头部衬底厂满产,但全行业产能利用率仅约48.8%。随着AI相关需求在2026年下半年进一步释放,全球碳化硅衬底市场可能从“供给过剩”转向“结构性偏紧”,尤其是在8英寸及以上大尺寸衬底领域。而8英寸衬底作为当前中国企业的核心优势阵地,有望率先迎来需求放量。


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